New Product
SiA406DJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2 8
21
14
7
0
Package Limited
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
25
2.0
20
1.5
15
1.0
10
0.5
5
0
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Case
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 65361
S09-1924-Rev. A, 28-Sep-09
www.vishay.com
5
相关PDF资料
SIA421DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
SIA432DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
SIA443DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
SIA448DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V D-S SC70-6L
SIA461DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A SC706L
SIA511DJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6
SIA513DJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6
SIA533EDJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
相关代理商/技术参数
SIA408DJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIA408DJ-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 4.5A 17.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA408DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 4.5A 17.9W 36mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA411DJ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 12A 19W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA411DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 12A 19W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA413DJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SIA413DJ-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 12A 19W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA413DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube